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硅片清洗工艺步骤有哪些 硅片清洗后有水印怎么办

分类: 化工能源 浏览量: 留言数: 33511

一、硅片清洗工艺步骤有哪些

吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱,清除这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质,具有疏水性的特点,对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。

因此在对硅片进行化学清洗时,首先应该把它们清除干净。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质,其吸附力都较强。

在一般情况下,原子型吸附杂质的量较小,因此在化学清洗时,先清除掉离子型吸附杂质,然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。

最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净,再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片。

综上所述,清洗硅片的一般工艺程序为:去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。另外,为去除硅片表面的氧化层,常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。

硅片清洗工艺步骤有哪些 硅片清洗后有水印怎么办

二、硅片清洗后有水印怎么办

1、冲洗不干净,可以拿一些干净的硅片再重新清洗一次,不要过清洗剂槽,看是否有水印出现,若无,则是清洗剂的问题,调整即可。

2、烘干不够,将硅片在进入烘干通道前取出甩干或吹干,看是否有水印,如无,则是加大烘干通道的力度。

3、水中杂质含量过高,造成不易清洗,清除水中的杂质即可。

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